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常见LED芯片介绍与特点分析

  一、MB 芯片
  定义:Metal BONding (金属粘着)芯片
  特点:
  1:采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
  2:通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。
  3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。
  4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
  5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB
  二、GB芯片
  定义:Glue Bonding (粘着结合)芯片
  特点:
  1:透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
  2:芯片四面发光、具有出色的Pattern
  3:亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)
  4:双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
  三、TS芯片
  定义:transparent structure(透明衬底)芯片
  特点:
  1:芯片工艺制作复杂、远高于AS LED
  2:信赖性卓越
  3:透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
  4:应用广泛
  四、AS芯片
  定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片
  特点:
  1:四元芯片、采用 MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
  2:信赖性优良
  3:应用广泛